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Si8465DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
12
9
6
V GS = 5 V thr u 3 V
V GS = 2.5 V
5
4
3
2
T C = 125 °C
3
V GS = 2 V
1
T C = 25 °C
0
V GS = 1.5 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.25
0.20
0.15
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
8 00
600
400
200
C iss
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C rss
V GS = 4.5 V
0.05
0
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 A
1.15
I D = 1.5 A
V GS = 4.5 V
8
V DS = 10 V
1.10
V GS = 2.5 V
6
4
V DS = 5 V
V DS = 16 V
1.05
1.00
0.95
2
0.90
0
0. 8 5
0
4
8
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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